芯片級(jí)HBM靜電防護(hù)分析平臺(tái)
通過(guò)非線性仿真和 TLP 模型,確保對(duì)HBM放電路徑的精準(zhǔn)仿真。
支持版圖提取,pad和ESD防護(hù)器件識(shí)別,并生成寄生電阻簡(jiǎn)化模型。
通過(guò)仿真pad-pad HBM沖擊,評(píng)估IR drop和電流密度。
識(shí)別內(nèi)部電路的過(guò)壓器件,檢測(cè)錯(cuò)誤或缺失的 ESD單元,解決過(guò)高電壓、電遷移和電流分布不均衡等問(wèn)題。
多種仿真分析確保高準(zhǔn)確度
業(yè)界領(lǐng)先的 ESD 驗(yàn)證工具
覆蓋流片前ESD sign-off的HBM 應(yīng)力條件
突顯邊緣器件,規(guī)避現(xiàn)場(chǎng)故障
覆蓋金屬化和內(nèi)部電路sneak-path檢查
設(shè)置簡(jiǎn)單高效,適用于整個(gè)設(shè)計(jì)流程
數(shù)模混合HBM
靜電防護(hù)分析
汽車芯片HBM
靜電防護(hù)分析
電源管理芯片HBM
靜電防護(hù)分析
數(shù)字芯片HBM
靜電防護(hù)分析